1. 芯片：UVC芯片以倒装芯片为目前主流，但还不一定是优结构。垂直芯片也有其独特优势，如电流扩展更好，吸光少，散热好等。但因材料主要是AlN，要将其与 蓝宝石衬底剥离，需要波长短、能量大的准分子激光器才能做到，但这又会对外延材料造成严重损伤。故截止目前仍然只有LGIT能够做到垂直结构UVC LED的量产。 如果能找到既经济又简单的剥离方法，那么垂直结构有机会成为UVC LED大功率主流。
2. 封装：主要考虑UVC LED的散热和出光。在材料方面，经过多年的发展，目前市面上UVC LED基本以倒装芯片搭配高导热氮化铝基板的方案为主。固晶方式有银 浆、锡膏、金锡共晶焊，其中共晶方式主要通过助焊剂进行焊接，相对能有效提升芯片与基板的结合强度，导热率，更为可靠，有利于UVC LED的品质管控。
3. 寿命：UVC LED长时间工作会光衰引起老化，尤其对大功率UVC LED来说，光衰问题更加严重。在衡量UVC LED的寿命时，仅仅以灯的损坏作为UVC LED寿命的 终点是远远不够的，应该以UVC LED的光衰减百分比来规定LED的寿命。目前从产业主流水平看，在UVC LED应用中，消费类产品L70(1000H)、家电类产品达 L50（10000H）较佳。
取出效率：器件内部产生的光子在经过器件本身的吸收、折射、反射后，实际在器件外部可测量到的数目；
外部量子效率（EQE）：器件内部量子效率与取出效率的乘积；
电光转换效率（WPE）：终成品通电后，有多少电能转换成了光能。主要考量输入功率、EQE和芯片情况，是目前较常用来评估发光效率的重要指标；
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