用于白光的LED大功率芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。

由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。

制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求?为什么?

普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。

采用湿法工艺进行光刻，较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。

GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED的一个极，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。

它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。

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视频作者：马鞍山杰生半导体有限公司

LED芯片的分类有哪些呢？

MB芯片定义与特点

定义：Metal Bonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。

特点：

(1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。Thermal Conductivity;GaAs：46W/m-K;GaP：77W/m-K;Si：125～150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC：490W/m-K。

(2)通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

(3)导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。

(4)底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。

(5)尺寸可加大，应用于High power领域，eg:42mil MB。

   国家对ＬＥＤ产业的发展也给予了大力支持。２００６年，根据我国半导体照明产业的发展现状，有关部门制定半导体照明产业发展计划和２００６年技术发展路线图提出，对于ＬＥＤ芯片的投资将占ＬＥＤ产业投资的２０％，研究重点将放在ＧａＮ芯片的生产以及功率芯片的研发上。

   虽然拥有极大的市场需求并得到有关部门的大力支持，但不可否认的是，现阶段ＬＥＤ芯片产业仍然存在核心技术缺乏、人才短缺、产品质量不高、设备自主生产能力弱等发展困境。如何解决上述问题是我国ＬＥＤ产业能否持续健康快速发展的关键。

   王莹认为，ＬＥＤ芯片产业的快速发展将助推ＬＥＤ产业整体升级。在ＬＥＤ芯片产业的发展过程中，早期产品主要以普通亮度芯片为主，生产厂商也只有南昌欣磊等少数几家。２００３年以后，以厦门三安、大连路美为代表的芯片生产企业针对芯片市场的需求，纷纷把产品重点集中到高亮度芯片上，直接带动了高亮度芯片产量的快速增长。一时间，国内掀起了ＬＥＤ芯片产业发展的热潮，高亮度芯片成为ＬＥＤ芯片产业发展的主要推动力。２００６年，我国ＬＥＤ芯片产量达到３０９．３亿个，产值达到１１．９亿元。

   随着ＬＥＤ芯片生产企业的不断增多，ＬＥＤ芯片产值的增长速度一直高于封装环节，导致芯片产值在我国ＬＥＤ产业产值中所占比重不断提升，由２００２年的５．４％上升至２００６年的１１．３％。由此可见，我国ＬＥＤ产业正在由低端走向，向附加值更高、更具核心价值的芯片环节迈进。

   据王莹预测，２００８年高亮度芯片产量将超过普通亮度芯片，ＬＥＤ芯片产业进入高亮度时代。在很长一段时间内，企业将会把投资重点放在高亮度芯片的生产上。